يأتي القذف بالمغنطرون في أشكال عديدة، ولكل منها مفاهيم تشغيلية وأهداف تطبيقية فريدة، حيث تلتف الإلكترونات حول السطح المستهدف نتيجة للتفاعل بين المجالين المغناطيسي والكهربائي، مما يزيد من احتمالية اصطدام الإلكترونات بغاز الأرجون. وإنشاء أيونات. تتناثر المادة المستهدفة عندما تصطدم الأيونات المتولدة بالسطح المستهدف أثناء تأثيرها بواسطة مجال كهربائي.
يتم فصل المكونات غير المتوازنة والمتوازنة لمصدر الهدف. المصادر المستهدفة غير المتوازنة لها رابطة قوية بين طبقة الطلاء والركيزة بينما المصادر المتوازنة لها طلاء موحد. تُستخدم المصادر المستهدفة غير المتوازنة عادةً في طلاء الأفلام المزخرفة، بينما تُستخدم المصادر المستهدفة المتوازنة عادةً في الأفلام الضوئية شبه الموصلة. وفقًا لكيفية المجال المغناطيسي تم تكوين كاثودات المغنطرون بشكل مختلف ويمكن تصنيفها بشكل فضفاض على أنها متوازنة وغير متوازنة. يكون التدفق المغناطيسي للفولاذ المغناطيسي داخل وخارج كاثود المغنطرون المتوازن متساويًا تقريبًا، ويتم إغلاق قطبي خطوط المجال المغناطيسي على السطح المستهدف ، الذي يحصر الإلكترونات والبلازما بشكل فعال بالقرب من السطح المستهدف، ويزيد من احتمالية الاصطدامات، ويعزز كفاءة التأين، مما يسمح له بالعمل عند مستوى أقل. تحت ضغط الهواء والجهد الكهربي، يمكن أن يبدأ ويحافظ على تفريغ التوهج، ويتم استخدام المادة المستهدفة بمعدل مرتفع نسبيًا. ومع ذلك، يتم قصف منطقة الركيزة بشكل أقل من قبل الأيونات لأن الإلكترونات تتحرك على طول خط المجال المغناطيسي في المقام الأول بالقرب من السطح المستهدف. تشير تقنية رش المغنطرون غير المتوازنة إلى الحالة التي يكون فيها التدفق المغناطيسي للقطب المغناطيسي الخارجي للكاثود المغنطروني أعلى من القطب المغناطيسي الداخلي. ترتفع كثافة البلازما ومعدل تأين الغاز في منطقة الركيزة نتيجة لخطوط المجال المغناطيسي الممتدة إلى الركيزة. وإذا كان المغناطيس ثابتاً فإن خصائص مجاله المغناطيسي تحدد أن معدل الاستفادة من الهدف العام أقل من 30%، ويتوازن أو عدم التوازن جانبا. يمكن استخدام مجال مغناطيسي دوار لرفع معدل استخدام المادة المستهدفة. ولكن هناك حاجة إلى آلية دوارة لاستيعاب المجال المغناطيسي الدوار، وينبغي أيضا تقليل معدل الاخرق. وكثيرا ما تستخدم الأهداف الكبيرة أو المكلفة مع المجالات المغناطيسية الدوارة. مثل الاخرق للمواد شبه الموصلة. وكثيرا ما يستخدم مصدر الهدف المجال المغناطيسي الثابت للآلات الصغيرة والآلات الصناعية المشتركة.
مع مصدر هدف المغنطرون، من السهل أن تتناثر المعادن والمواد المركبة، وتشتعل، وتتطاير. وذلك بحيث يمكن أن تنشأ حلقة بين الهدف (الكاثود)، والبلازما، والمكونات المتناثرة/الغرفة المفرغة. ومع ذلك، يتم تدمير الدائرة إذا حواجز الاخرق، مثل السيراميك. ونتيجة لذلك، تم تجهيز الحلقة بمكثفات قوية ومصادر طاقة عالية التردد. وتعمل المادة المستهدفة كمكثف في دائرة العزل بهذه الطريقة. ومن الصعب تنفيذها على نطاق واسع بسبب بسبب التكلفة العالية لمصدر طاقة الرش المغنطروني عالي التردد، وانخفاض معدل الرش، وتقنية التأريض المعقدة. تم إنشاء الرش التفاعلي المغنطروني لمعالجة هذه المشكلة. وتتمثل الخطة في استخدام جسم معدني، والأرجون، وغاز تفاعل مثل الأكسجين أو النيتروجين. نتيجة لتحويل الطاقة، تضرب المادة المعدنية المستهدفة المكون وتتحد مع غاز التفاعل لإنتاج نيتريد أو أكسيد. على الرغم من أن وظيفة عازل الاخرق التفاعلي المغنطرون تبدو بسيطة، إلا أنها تمثل تحديًا. المشكلة الأساسية هي أن التفاعل يستغرق وقتًا طويلاً. ضعه على الأنود، وسطح حاوية التفريغ، وكذلك سطح المصدر المستهدف. مما يؤدي إلى إخماد الحرائق، وانحناء المصدر المستهدف وسطح قطعة العمل، وما إلى ذلك.
تتطلب جميع المصادر (المغنطرون، الأقواس المتعددة، الأيونات) التبريد لأن جزءًا كبيرًا من الطاقة يتحول إلى حرارة. ستؤدي هذه الحرارة إلى رفع درجة حرارة المصدر المستهدف أعلى من 1,000 درجة وتذوب المصدر المستهدف بالكامل في حالة عدم وجود تبريد أو تبريد غير كافي.
